芯片散热新思路 我国开发出介电基底修饰新技术

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新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片的速度越来越快,但芯片供暖问题一直困扰着业界和学术界。复旦大学研究小组最近开发了一种新的介质基板改性技术,有望解决芯片散热问题。相关研究成果在线发表在权威科学期刊《自然通讯》上。

研究表明,在芯片中,半导体材料和绝缘体材料之间由六方氮化硼制成的界面材料将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统上,研究人员首先将其种植在其他盆中,然后将其移植到芯片材料中。

复旦大学高分子分子工程国家重点实验室研究员魏大成带领团队开发了一种保形六方氮化硼改性技术,该技术在最低温度300℃下不需要直接催化剂摄氏度。在硅/硅晶片(SiO 2/Si),石英,蓝宝石和单晶硅衬底的表面上生长高质量的六方氮化硼膜。这种带有无缝效果的保形改性技术可以显着提高芯片材料的性能。

专家表示,这项技术用途广泛,不仅可以应用于基于二硅化钨材料的晶体管器件,还可以应用于其他材料和更多器件应用,共形六角氮硼具有很大的潜力 - 规模生产和应用。

原标题:芯片散热的新思路中国科学家开发出一种新的介电基板改性技术

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